【論文】2次元MoS2のドーピングに関する理論研究

二次元MoS₂は、優れた電気的および光学的特性を持つことから、次世代半導体材料として期待されています。
MoS₂の電気特性や光学特性を制御するためには、ドーピングによるキャリア導入が必要ですが、
これまで実験で検証された効果的な元素はレニウム（Re）など数種類に限られていました。
そこで本研究では、27種類の不純物元素を考慮して、表面吸着・格子間・置換型の点欠陥を網羅的に理論計算しました。
その結果、Re等では浅いドナー・アクセプター状態ができるいうとこれまでの定説を覆し、すべての元素で局在したポーラロン状態になることを示しました。

S. Bae, I. Miyamoto, S. Kiyohara, and Y. Kumagai
“Universal Polaronic Behavior in Elemental Doping of MoS₂ from First-Principles"
ACS Nano, (2024).