【論文】Rafael研究員らの論文がACS Applied Materials & Interfaceに出版

2次元 β-TeO2は透明でホール移動度が高く、電子デバイスに期待される材料です。しかし、p型伝導の仕組みはよくわかっていません。本研究では欠陥の影響を調べた結果、通常の点欠陥はp型伝導にほとんど寄与せず、不純物や基板が重要という結論が得られました。またp型ドーパントとしては、Biが最も効果的であることを示唆しました。これらの発見は、今後の2次元 β-TeO2のデバイス設計に役立つ発見です。 

R. Costa-Amaral, S. Bae, V. T. N. Huyen, and Y. Kumagai
“Exploring Intrinsic and Extrinsic p-Type Dopability of Atomically Thin β-TeO2 from First PrinciplesClick to copy article link"
ACS Appl. Mater. Interfaces 2025, 17, 1, 1605–1614